型号:

TF252TH-5-TL-H

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:JFET N-CH 20V 1MA 3VTFP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> JFET(结点场效应
TF252TH-5-TL-H PDF
标准包装 1
系列 -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V
漏极至源极电压(Vdss) -
漏极电流 (Id) - 最大 1mA
FET 型 N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) -
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 1V @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds 3.1pF @ 2V
电阻 - RDS(开) -
安装类型 表面贴装
包装 标准包装
封装/外壳 3-SMD,扁平引线
供应商设备封装 3-VTFP
功率 - 最大 100mW
产品目录页面 1537 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 869-1205-6
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